单项选择题
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶 B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶 C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶 D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
多项选择题 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
单项选择题 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
