问答题 计算〈111〉晶向硅衬底上外延层厚度为多少时，外延层上的刻蚀坑具有1.838um的尺寸？

问答题 确定在1200℃时，由SiCl4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是hG=5cm/s，表面反应速率常数为KS=107exp（-1.9eV/kT）cm/s，CG=5*1016cm-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？

问答题 为什么使用外延生长难以得到突变结？