问答题 已知某耗尽型MOS管的夹断电压UP=-2.5V，饱和漏极电流IDSS=0.5mA，求UGS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。

问答题 在如图所示的电路中，三极管的β为50，设三极管的UBE=0.7V，+VCC=+15V，Rb=475kΩ，Rc=3kΩ求电路的静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ。

问答题 设N沟道增强型MOSFET的参数为VT＝1V，W＝100μm，L＝5μm，μn＝650cm2／V·s，Cox＝76.7×10-9F／cm2。当VGS＝2VT，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效应管的工作电流ID。