问答题 在如图所示的电路中，三极管的β为50，设三极管的UBE=0.7V，+VCC=+15V，Rb=475kΩ，Rc=3kΩ求电路的静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ。

问答题 设N沟道增强型MOSFET的参数为VT＝1V，W＝100μm，L＝5μm，μn＝650cm2／V·s，Cox＝76.7×10-9F／cm2。当VGS＝2VT，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效应管的工作电流ID。

问答题 已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为KP＝0.2mA／V2，VP＝0.5V，iD＝－0.5mA（假定正向为流进漏极）。试求此时的预夹断点栅源电压vGS和漏源电压vDS等于多少？