问答题
下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。
1.离子源2.分析磁块3.加速器4.中性束闸5.x&y扫描板6.法拉第杯1.离子源作用：产生注入用的离子原理......
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问答题 Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
问答题 一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
问答题 简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
