问答题
T=300K，考虑一个硅pn结光电二极管，外加反向偏压6V，稳态光产生率为GL=10211cm-3·s-1，pn结参数为：计算其光电流密度，比较空间电荷区和扩散区对光电流密度的贡献。
问答题 假定GaAs导带电子分布在导带底之上0~3/2 kT范围内，价带空穴分布在价带顶之上0~3/2 kT范围内，计算辐射光子的波长范围和频带宽度。
问答题 T=300K，n型硅衬底杂质浓度为ND=5×1015cm-3，计算金属铝-硅肖特基接触平衡态的反向电流JsT、正偏电压为5V时的电流。计算中取理查森常数A*=264Acm-2·K-2。
问答题 T=300K，n型硅衬底杂质浓度为ND=1016cm-3，计算肖特基势垒高度ΦB0、半导体侧的接触电势差Vbi、空间电荷区厚度W。
计算其光电流密度，比较空间电荷区和扩散区对光电流密度的贡献。