多项选择题
干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B.生长的二氧化硅干燥
C.生长的二氧化硅结构致密
D.生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E.生长的二氧化硅掩蔽能力强
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单项选择题
干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
B.氧化的速度慢
C.生长的二氧化硅缺陷多
D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差 -
单项选择题
干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。
A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.没有要求 -
单项选择题
下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
A.干氧氧化
B.湿氧氧化
C.水汽氧化
D.与氧化方法无关
