多项选择题
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加
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多项选择题
在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.均匀性
B.表面平整度
C.自由应力
D.纯净度
E.电容 -
单项选择题
为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。
A.液氮冷阱
B.净化阱
C.抽气阱
D.无气泵 -
单项选择题
离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。
A.电极
B.分析器
C.加速器
D.腔体
