单项选择题
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A.栅氧化层
B.沟槽
C.势垒
D.场氧化层
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单项选择题
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
A.单晶硅刻蚀
B.多晶硅刻蚀
C.二氧化硅刻蚀
D.氮化硅刻蚀 -
单项选择题
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
A.气体
B.等离子体
C.固体
D.液体 -
单项选择题
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
A.铜
B.铝
C.金
D.二氧化硅
