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单项选择题
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
A.气体
B.等离子体
C.固体
D.液体 -
单项选择题
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
A.铜
B.铝
C.金
D.二氧化硅 -
多项选择题
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3
