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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员(三级)

单项选择题

在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。

    A.1050~1200℃
    B.900~1050℃
    C.1100~1250℃
    D.1200~1350℃

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