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单项选择题
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻胶
D.多晶硅 -
单项选择题
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A.栅氧化层
B.沟槽
C.势垒
D.场氧化层 -
单项选择题
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
A.单晶硅刻蚀
B.多晶硅刻蚀
C.二氧化硅刻蚀
D.氮化硅刻蚀
