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单项选择题
用金锑合金共晶粘片时，采用的温度为（）
A.350℃~360℃
B.380℃~410℃
C.410℃~440℃
D.420℃~450℃ -
单项选择题
半导体的光照被消除的情况下，其中的载流子（）
A.产生＞复合
B.产生＜复合
C.产生=复合
D.产生率=复合率=0 -
单项选择题
大功率芯片烧结工艺中，保护气体最好采用（）
A.H2
B.N2
C.He
D.H2和N2混合气体
