多项选择题
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
A.ARC可以是硅的氮化物 B.可用干法刻蚀除去 C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成 D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层 E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成
单项选择题 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。
多项选择题 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。
多项选择题 按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。
