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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员(三级)

单项选择题

当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的主要原因。

    A.温度
    B.硅-二氧化硅界面处的化学反应
    C.氧的扩散速率
    D.压力

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