相关考题
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单项选择题
当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
A.温度
B.硅-二氧化硅界面处的化学反应
C.氧的扩散速率
D.压力 -
单项选择题
当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。
A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比 -
多项选择题
干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B.生长的二氧化硅干燥
C.生长的二氧化硅结构致密
D.生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E.生长的二氧化硅掩蔽能力强
