单项选择题
组装过程中，H1级芯片和衬底之间的粘接要求（）
A.芯片周长50%可见焊料
B.芯片周围75%可见焊料
C.芯片周长40%可见焊料
D.芯片周长45%可见焊料
点击查看答案&解析
相关考题
-
单项选择题
一般MOS型集成电路的隔离是（）
A.与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离
B.介质隔离
C.介质隔离和PN结隔离
D.自隔离 -
单项选择题
可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.磷硅玻璃
D.氧化铝 -
单项选择题
芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）
A.221℃
B.323℃
C.370℃
D.390℃
