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单项选择题
可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.磷硅玻璃
D.氧化铝 -
单项选择题
芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）
A.221℃
B.323℃
C.370℃
D.390℃ -
单项选择题
芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）
A.280℃
B.220℃
C.320℃
D.350℃
