相关考题
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单项选择题
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。
A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系数
D.扩散系数 -
多项选择题
（）的方法有利于减少热预算。
A.高压氧化
B.湿氧氧化
C.掺氯氧化
D.氢氧合成氧化
E.等离子增强氧化 -
单项选择题
当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
A.温度
B.硅-二氧化硅界面处的化学反应
C.氧的扩散速率
D.压力
