相关考题
-
单项选择题
二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。
A.降低
B.增加
C.不变
D.先降低后增加 -
单项选择题
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。
A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系数
D.扩散系数 -
多项选择题
（）的方法有利于减少热预算。
A.高压氧化
B.湿氧氧化
C.掺氯氧化
D.氢氧合成氧化
E.等离子增强氧化
